Transistor
Power-MOS-N-FET
Gehäuse: SO8
30V-Single N-Channel
HEXFET
Uds: 30V
Id: 20A
Pd: 2,5W
Rdson: 0,004R
| Kategorie: | Transistoren |
|---|---|
| Gehäuse: | SO8 |
| Art oder Typ: | N-FET |
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