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Transistor, Power-MOS-N-FET
Gehäuse: SO8

Details

Transistor

Power-MOS-N-FET

Gehäuse: SO8

30V-Single N-Channel

HEXFET

Uds: 30V
Id: 20A
Pd: 2,5W
Rdson: 0,004R




Zusatzinformation

Artikelnr. 773278
Gehäuse SO8
Art oder Typ N-FET
Hersteller Keine Angabe
Grundpreis Keine Angabe
Video Nein

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