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Epitaktischer NPN-Silizium-Planar-Fototransistor
mit bikonvexer Sammellinse

Details

Fototransistor

Epitaktischer NPN-Silizium-Planar-Fototransistor mit bikonvexer Sammellinse.

Kollektor-Emitter-Spannung: 32V max.

Kollektorstrom : 100mA max.

Verlustleistung : 100mW

Kollektor-Hellstrom: 6mA

Öffnungswinkel : 40°

ACHTUNG: NUR NOCH IN KLEINEN MENGEN VERFÜGBAR, NICHT MEHR IN ALLEN FILIALEN ERHÄLTLICH

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Zusatzinformation

Artikelnr. 573160
Farbe --
Hersteller Nein
Grundpreis Keine Angabe
Video Nein

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